信息存储应用技术
  • 双倍数据速率同步动态随机存取存储器(“DDR SDRAM”)数据选通信号校准的制作方法
    诸如台式计算机、膝上型计算机或平板电脑、智能电话、便携式数字助理、便携式游戏控制台等的计算设备包括一个或多个处理器(比如中央处理单元、图形处理单元、数字信号处理器等)以及一个或多个存储器。为了提升较高吞吐量,这样的存储器可以是能够进行高速操作的类型,比如双倍数据速率同步动态随机存取存储器(...
  • 减小选择栅极阈值电压移位的电场的制作方法
    半导体存储器广泛用于各种电子设备,诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备和其他设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接到电源(例如,电池)时,非易失性存储器也允许存储和保留信息。非易失性...
  • 用于使用共享地址路径在存取存储器排组的同时刷新另一存储器排组的系统和方法与流程
    本发明的实施例大体上涉及半导体装置的领域。更确切地说,本发明的实施例涉及使用共享地址路径在存取半导体装置的第二存储器排组的同时刷新半导体装置的第一存储器排组。例如动态随机存取存储器(dram)的半导体存储器装置可通过定期从存储器单元读取信息并将所述读取信息重写到存储器单元以保存信息来刷新存...
  • 基于4d和5d过渡金属钙钛矿的磁性存储器设备的制作方法
    对政府权利的引用本发明是在国家科学基金会授予的dmr1234096的政府支持下完成的。政府拥有本发明的某些权利。相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月28日提交的美国临时专利申请no.62/525,885的优先权,其全部内容通过引用并入本文。源自自旋轨道效应的电流感应自旋转矩为电磁设...
  • 用于使用共享地址路径在存取存储器排组的同时刷新另一存储器排组的系统和方法与流程
    本发明的实施例大体上涉及半导体装置的领域。更确切地说,本发明的实施例涉及使用共享地址路径在存取半导体装置的第二存储器排组的同时刷新半导体装置的第一存储器排组。例如动态随机存取存储器(dram)的半导体存储器装置可通过定期从存储器单元读取信息并将所述读取信息重写到存储器单元以保存信息来刷新存...
  • 用于存储器决策反馈均衡器的电压参考计算的制作方法
    本发明的实施例大体上涉及半导体存储器装置的领域。更确切地说,本发明的实施例涉及使用半导体存储器装置的决策反馈均衡器(dfe)电路来校正所发射的信号中的失真。存储器装置的操作速率,包含存储器装置的数据速率,已经随着时间推移而增大。作为存储器装置的速度增大的副作用,由于失真所致的数据错误可能增...
  • 命令地址输入缓冲器偏置电流减小的制作方法
    本公开的实施例大体上涉及半导体装置的领域。更具体地说,本公开的实施例涉及命令地址输入缓冲器偏置电流减小。此章节意图向读者介绍可能涉及本公开的各种方面的技术的各种方面,这些方面在下文中有所描述和/或主张。相信此论述有助于向读者提供背景信息以促进对本公开的各种方面的更好理解。因此,应理解,应鉴...
  • 存储器芯片及其数据处理电路和数据处理方法与流程
    本发明涉及存储器芯片,更具体的说,涉及一种存储器芯片及其数据处理电路和数据处理方法。随着科学技术的不断发展,越来越多的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中,为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利,成为当今人们不可或缺的重要工具。存储器芯片是电子设备的一个重要电子元件。...
  • 一种NAND Flash时序测试方法与流程
    本发明涉及存储芯片测试,具体涉及一种nandflash时序测试方法。目前由于芯片集成度较高,对nandflash芯片的测试通常由自动测试设备(ate)执行;测试过程中通过比较由芯片输入、输出的数据是否相同判断此芯片是否存在故障。而现有nandflash芯片接口多为ddr3模式,在d...
  • 具有可重新配置的邻区辅助LLR校正的NAND闪速存储器的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月2日提交的申请号为62/713,964,标题为“具有利用下采样和流水线的可重新配置邻区辅助校正的nand闪速存储器”的临时申请的优先权,该临时申请转让给本受让人,并且该临时申请通过引用整体而明确地并入本文。本申请还涉及到于2016年1月3日提交的申请号为...
  • 用于NAND闪速存储装置的动态邻区和位线辅助校正的制作方法
    相关申请的交叉引用本申请要求于2018年8月2日提交的申请号为62/713,958,标题为“用于nand闪速存储装置的运行中邻区和位线辅助校正”的临时申请的优先权,该临时申请已转让给本受让人,并且该临时申请通过引用而明确地整体并入本文。本申请还涉及到于2016年1月3日提交的申请号为15/173,...
  • 半导体装置的制作方法
    相关申请的交叉引用本公开要求于2018年8月1日提交的申请号为10-2018-0089753的韩国专利申请的优先权,其公开通过引用整体并入本文。本公开的各种实施例总体涉及一种半导体装置,并且更特别地涉及一种能够在测试模式期间利用各种条件执行测试的半导体装置。半导体装置使用感测放大器将数据写...
  • 一种DRAM芯片修复方法与流程
    本发明涉及存储器修复领域,特别涉及一种dram芯片修复方法。传统dram的修复流程中,通常只能支持一种修复方法。但是随着dram制造工艺的复杂化以及市场对dram品质要求的一再提升,芯片设计人员提供的dram修复方法日趋多样,因此,dram测试过程中,只能支持一种修复方法极大地降低了测试效...
  • 一种多子块NAND闪存缺陷的修复方法与流程
    本发明涉及nand闪存器件领域,特别涉及一种多子块nand闪存缺陷的修复方法。nand闪存的缺陷主要有三种类型:行缺陷,列缺陷和散点缺陷。对于行缺陷通常将行所对应的块标记为坏块;对于列缺陷使用冗余列对其进行替换;对于散点缺陷是本发明解决的主要问题,因为仅仅使用冗余列替换散点所在的列往往不能...
  • 一种移位寄存器和显示面板的制作方法
    本发明实施例涉及显示,尤其涉及一种移位寄存器和显示面板。随着显示技术的发展,显示面板的窄边框已成为一大发展趋势。显示面板中,通常包括扫描电路和发光控制信号产生电路,扫描电路只提供扫描信号,发光控制信号产生电路只提供发光控制信号,扫描电路和发光控制信号产生电路都会占用一定的边框面积,...
  • 电压调整方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置与流程
    本发明涉及一种电压调整方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置。数码相机、移动电话与mp3播放器在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如,快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小,以及无机械结构等特性,所以非常适合内建于上述所...
  • 一种快速寻找NAND闪存最佳重读电压的方法与流程
    本发明涉及数据处理领域,特别涉及一种快速寻找nand闪存最佳重读电压的方法。nand闪存是现如今广泛使用的存储产片,具有速度快,非易失等优良特性。其内部实际上以存储电荷的形式来表示数据,在实际使用过程中,由于各种内外部条件的变化会导致存储电荷数量的变化,如果这一变化累积到一定程度,以默认的...
  • 存储阵列模块及其控制方法、装置、模组与流程
    本发明涉及神经网络集成电路设计领域,特别涉及一种存储阵列模块及其控制方法、装置、模组。神经网络是模仿动物神经网络行为特征,进行分布式并行信息处理的算法模型,这种算法模型广泛应用于人工智能领域。在神经形态计算处理过程中,包含了大量的矩阵运算,存储计算一体化芯片,也称作类脑芯片或突触芯片应运而...
  • 一种CAM匹配线的电压摆幅控制电路的制作方法
    本公开涉及半导体领域,尤其涉及一种cam匹配线的电压摆幅控制电路。cam(contentaddressablememory,内容寻址存储器)是以内容进行寻址的存储器,是一种特殊的存储阵列ram(randomaccessmemory,随机存取存储器)。它的主要工作机制是将输入的待查找数据与c...
  • 一种基于金属-离子液体界面电势差的信息存储和读取系统的制作方法
    本发明涉及信息存储和读取,具体涉及一种基于金属-离子液体界面电势差的信息存储和读取系统。信息的存储和读取是目前最为热门的研究领域之一,也涉及到日常生活的方方面面。随着5g时代的到来,人们对信息的存储量、读取速度等有了更高的要求。现有的信息存储技术有着相当多的优点,但随着技术的不断发...
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